在半導體器件領(lǐng)域，PN 結(jié)二極管的反向擊穿特性至關(guān)重要。于常規(guī)狀態(tài)下的反向偏置 PN 結(jié)，僅有微小漏電流，其值基本恒定。一旦反向電壓逾越特定閾值，PN 結(jié)便突兀開啟大電流導通模式（參考圖 1），此即反向擊穿現(xiàn)象。若無外力限流，極有可能損毀器件。
圖 1.PN 結(jié)二極管反向擊穿示意
反向擊穿通常界定固態(tài)器件最大工作電壓。但經(jīng)恰當限流措施后，反向擊穿的 PN 結(jié)可變身穩(wěn)定電壓參考源。
一、反向擊穿機制剖析
雪崩倍增 ：反向偏置 PN 結(jié)時，耗盡區(qū)隨偏置升高而拓寬，不過電場強化 pace 更快。強勁電場加速載流子，使其高速穿越耗盡區(qū)，撞擊晶格原子，釋放價電子，催生新載流子。一載流子可撞出成千上萬新載流子，形似滾雪球成雪崩，故名雪崩倍增。
隧道效應(yīng) ：此為量子機制過程，載流子借助量子隧穿，無視障礙，短距離遷移。當耗盡區(qū)薄至臨界值，載流子能隧穿躍過。隧道電流受耗盡區(qū)寬度、結(jié)電壓差主宰，由此引發(fā)的反向擊穿稱齊納擊穿。
二、擊穿電壓影響要素
結(jié)反向擊穿電壓與耗盡區(qū)寬度緊密相連，耗盡區(qū)越寬，擊穿電壓越高。輕摻雜致使耗盡區(qū)寬闊，擊穿電壓攀升。擊穿電壓低于 5 伏，齊納擊穿主導；高于 5 伏，雪崩擊穿占優(yōu)。
基于工作機制，PN 二極管衍生出齊納二極管（低擊穿電壓，低于 5 伏）、雪崩二極管（高擊穿電壓，高于 5 伏）。不過，工程師常統(tǒng)稱其為齊納管，易引混淆。
三、幾何形狀對擊穿電壓的影響
結(jié)擊穿電壓除受摻雜特性左右，還深受幾何形狀影響。前文探討平面結(jié)情境，實際多曲面結(jié)，曲率強化電場，削減擊穿電壓，曲率半徑越小，擊穿電壓越低。肖特基二極管因金屬 - 硅交界面邊緣斷層，電場強化顯著降低擊穿電壓，需特定手段弱化肖特基勢壘邊緣電場。
圖 2 呈現(xiàn) PN 結(jié)、肖特基、齊納二極管電路圖符號，箭頭指示正向偏置電流方向，齊納二極管雖箭頭方向易引誤導，但其常處反向偏置態(tài)。
圖 2 PN 結(jié)、肖特基、齊納二極管電路圖符號
四、齊納二極管應(yīng)用誤區(qū)及原則
在齊納二極管應(yīng)用中，初學者易陷入誤區(qū)，總結(jié)如下：
理想化特性認知偏差 ：低壓齊納管實際曲線欠理想，不能僅憑標稱值臆想其性能。
保護應(yīng)用關(guān)鍵要素忽視 ：利用齊納管做保護時，需考量漏電流、確保截止電壓余量、關(guān)注導通狀態(tài)電壓變化，且各要素相互牽制，需權(quán)衡取舍。
動態(tài)內(nèi)阻及反應(yīng)遲鈍性不明 ：齊納管動態(tài)內(nèi)阻致電壓隨電流變，反應(yīng)存在延遲，結(jié)電容亦影響其高頻響應(yīng)。
據(jù)此總結(jié)應(yīng)用原則：
低壓齊納管應(yīng)用需謹慎，盡量規(guī)避。
作保護器件時，合理選取 UZ，保障 UWMAX＋UM（UM＞0）。
設(shè)計秉持 “動態(tài)” 理念，顧及電路反應(yīng)遲緩性。
遵循墨菲定律，預留充足設(shè)計冗余。
五、穩(wěn)壓管典型穩(wěn)壓電路解析
如下圖，
D1 為穩(wěn)壓二極管，與負載 R2 并聯(lián)，R1 為限流電阻。電網(wǎng)電壓升高，Vin 上升，Vout 升高苗頭顯現(xiàn)，D1 電流劇增，I 增大，R1 壓降增大，抵消 Vout 升高；電網(wǎng)電壓降低，Vin 下滑，Vout 下降趨勢出現(xiàn)，D1 電流驟減，I 減小，R1 壓降減小，抵消 Vin 下降。負載電流增加，R1 壓降上升，Vout 下降，D1 電流銳減，R1 壓降回降，Vout 穩(wěn)定。穩(wěn)壓管主導電流調(diào)節(jié)，限流電阻負責電壓調(diào)整，穩(wěn)壓管動態(tài)電阻越小、限流電阻越大，輸出電壓越穩(wěn)。
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